半導體製造商ROHM已開始650V耐壓氮化鎵（GaN）HEMT

ROHM開始量產高效能650V耐壓GaN HEMT，有助提升伺服器和AC適配器等電源系統效率並實現小型化，新產品由ROHM與台達子公司碇基半導體聯合開發而成。

「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量產，此二款產品適用於伺服器和AC適配器等各類型電源系統。

據悉電源和馬達的用電量占全世界用電量的一半，為實現無碳社會，如何提高其效率已成為全球性的重要課題。而功率元件則是提高電源效率的關鍵，碳化矽（SiC）和GaN等新世代半導體材料頗受矚目。2022年ROHM將閘極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產； 2023年3月確立能大幅發揮GaN性能的控制IC技術。此次為助力提升電源系統效率和實現小型化，ROHM 再推出元件性能達到業界頂級水準的650V耐壓GaN HEMT。

新產品是由ROHM與台達電子公司—專注於GaN元件開發的碇基半導體聯合開發而成，在650V GaN HEMT的元件性能指數方面達到頂級水準，新產品可以大幅降低開關損耗，進一步提高電源系統效率。另外，新產品內建ESD保護元件，將抗靜電能力提高至3.5kV，有助提高應用產品可靠性，而新產品還具有GaN HEMT元件的優勢—高速開關工作，有助週邊元件小型化。

ROHM將有助應用產品節能和小型化的GaN元件命名為「EcoGaN系列」，並不斷致力提高元件性能。新產品已於2023年4月起投入量產，並開始透過電商平台銷售。