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ROHM參展2024慕尼黑電子展以E-Mobility、車用和工控為展示主軸 (2024.11.06)
現今電子系統的需求日益成長，尤其是在永續經營和急需創新的市場方面，先進技術將成為助力。半導體製造商ROHM將於11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的2024慕尼黑電子展（electronica 2024），展示提高車用和工控中功率密度、效率和可靠性的先進功率和類比技術，並進行技術交流合作 |
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三菱電機為Ka頻段衛星通訊地球站提供GaN MMIC功率放大器 (2024.06.14)
三菱電機（Mitsubishi Electric）今（14）日宣布，將開始出貨用於Ka 波段衛星通訊的8W 和14W 氮化鎵（GaN）單片微波積體電路（MMIC）功率放大器樣品—7 月 1 日起啟用通訊（SATCOM）地球站 |
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ROHM EcoGaN產品被台達電子45W輸出AC適配器採用 (2024.02.27)
半導體製造商ROHM推出的650V GaN元件（EcoGaN），被台灣台達電子（Delta Electronics）的45W輸出AC適配器「Innergie C4 Duo」 採用。該產品透過搭載可提高電源系統效率的ROHM EcoGaN「GNP1150TCA-Z」元件，在提高產品性能和可靠性的同時，更實現了小型化 |
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鎖定5G先進基地台及行動裝置應用 imec展示高效能矽基氮化鎵 (2023.12.14)
於本周舉行的2023年IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了在8吋矽晶圓上製造的氮化鋁（AlN）／氮化鎵（GaN）金屬—絕緣體—半導體（MIS）高電子遷移率電晶體（HEMT），該元件能在28GHz的操作頻率下展現高輸出功率及能源效率 |
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Transphorm新款TOLT封裝形式的SuperGaN FET提供更靈活的熱管理 (2023.11.29)
Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐，為採用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵元件 |
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Transphorm新三款TOLL封裝SuperGaN FET 支援高功率能耗AI應用 (2023.11.07)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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CGD、群光電能與劍橋大學共組GaN生態系統 開發先進高功率方案 (2023.11.06)
英商劍橋氮化鎵元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家專注於研發高效能氮化鎵（GaN）功率元件的半導體公司，致力於打造更環保的電子元件。近日與台灣的電力電子系統整合方案供應商群光電能（Chicony Power Technology）、英國劍橋大學技術服務部（CUTS）簽署一項三方協議 |
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ROHM推出LiDAR用120W高輸出功率雷射二極體 (2023.10.31)
半導體製造商ROHM推出一款高輸出功率半導體雷射二極體「RLD90QZW8」， 非常適用於搭載測距和空間識別用LiDAR的工控設備領域的AGV（Automated Guided Vehicle/無人搬運車） 和服務機器人、消費性電子領域的掃地機器人等應用 |
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ROHM超高速奈秒級閘極驅動器IC可大幅發揮GaN元件性能 (2023.10.19)
近年來在伺服器系統等應用領域，由於物聯網（IoT）設備的需求漸增，關於電源部分的功率轉換效率提升和設備小型化已成為重要課題，要求功率元件需不斷進行優化。另外，不僅在自動駕駛、工控設備和社會基礎建設監控等應用領域中也非常廣泛的LiDAR，也需要透過高速脈衝雷射光照射來進一步提高辨識精度 |
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CGD的GaN單晶片 獲台積電歐洲創新區最佳展示獎 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系統單晶片 (SoC) 在台積電( TSMC) 2023 年歐洲技術研討會創新區榮獲「最佳展示」獎。
CGD是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，專門開發多種節能GaN型功率裝置，旨在實現更環保的電子元件 |
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Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI應用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款採用TOLL封裝的SuperGaN氮化鎵場效應管（FET），導通電阻分別為35、50和72毫歐姆。Transphorm的TOLL封裝配置符合業界標準，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解決方案 |
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ROHM推出EcoGaN Power Stage IC 可助減少應用損耗及實現小型化 (2023.09.04)
近年來消費性電子和工控設備的電源在節能方面的要求升高，以期實現永續發展，因而能夠幫助提高功率轉換效率和實現元件小型化的GaN HEMT受到關注。但與Si MOSFET比較之下，GaN HEMT的閘極處理較為困難，必須與驅動閘極用的驅動器結合使用 |
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DigiKey於2023年新增逾175,000項產品SKU (2023.07.14)
DigiKey提供最豐富的技術元件與自動化產品品項，而且備妥現貨可立即出貨；DigiKey宣布，在2023年大幅擴增產品組合，今年至今已新增超過175,000項庫存零件，包括在核心業務上新增將近40,000項新推出的產品SKU |
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ROHM高性能650V耐壓GaN HEMT開始量產 (2023.05.18)
半導體製造商ROHM已開始650V耐壓氮化鎵（GaN）HEMT
「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量產，此二款產品適用於伺服器和AC適配器等各類型電源系統。
據悉電源和馬達的用電量占全世界用電量的一半，為實現無碳社會，如何提高其效率已成為全球性的重要課題 |
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CGD推出ICeGaN 650 V氮化鎵HEMT系列產品 (2023.05.12)
Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化鎵 HEMT 系列產品，提供領先業界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 採用 CGD 的智慧閘極介面，幾乎消除一般 E 模式 GaN 的各種弱點，大幅加強過電壓耐用性、提供更高的抗雜訊閾值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保護效果 |
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CGD開發GaN高能效功率裝置 協助打造環保電子產品 (2023.04.10)
無晶圓廠無塵技術半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化鎵 （GaN）開發出多款高能效功率裝置，協助打造出更為環保的電子產品；CGD 宣布由學術研究機構維吉尼亞理工大學進行的獨立第三方研究表現，CGD 的 ICeGaN氮化鎵技術較其他氮化鎵平台更具可靠性及堅固性 |
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新一代單片式整合氮化鎵晶片 (2022.05.05)
氮化鎵或氮化鋁鎵（AlGaN）的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場，結合HEMT的電晶體結構，就能打造新一代的元件與晶片。 |
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ROHM與台達締結戰略合作夥伴關係 實現GaN功率元件量產 (2022.04.27)
羅姆半導體集團（ROHM Semiconductor）宣布與台達電子（Delta Electronics, Inc.）在第三代半導體GaN（氮化鎵）功率元件的研發、量產上締結戰略合作夥伴關係。
具體合作內容乃結合台達長年累積的先端電源研發技術，與ROHM的功率元件研發、製造技術，共同研發電源系統中運用範圍極為廣泛的GaN功率元件（600V） |
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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制 (2022.03.29)
半導體製造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT?GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產體制，該系列產品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用於基地台、資料中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路 |
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英飛凌全新 EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200 V單通道閘極驅動器系列 (2021.12.22)
英飛凌科技，推出了EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V 單通道閘極驅動器IC系列。新產品系列旨在提高CoolGaN肖特基閘極（SG）HEMT的性能，但也相容於其他GaN HEMT和矽MOSFET。閘極驅動器的目標鎖定廣泛應用，包括DC-DC轉換器、馬達驅動器、電信、伺服器、機器人、無人機、電動工具以及 D 類音訊放大器等 |
