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ASM提出新技术解决high k与金属栅的挑战
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2008年05月22日 星期四
浏览人次：【3582】
ASM推出一个全新的原子层沈积（ALD）制程。该制程采用氧化镧（LaOx）及氧化铝（AlOx）高介电值覆盖层，使得32纳米high k金属闸极堆栈采用单一金属，而不是之前CMOS所需要的两种不同的金属。High k电介质与金属栅结合可以实现芯片体积更小、运行更快。这样的芯片适用于高性能服务器和低功耗要求的产品，如笔记本计算机、PDA和Smart Phone。
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關鍵字： 氧化镧  氧化铝  晶体管  芯片  ALD  ASM  Glen Wilk 
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