ASM推出一个全新的原子层沈积（ALD）制程。该制程采用氧化镧（LaOx）及氧化铝（AlOx）高介电值覆盖层，使得32纳米high k金属闸极堆栈采用单一金属，而不是之前CMOS所需要的两种不同的金属。High k电介质与金属栅结合可以实现芯片体积更小、运行更快。这样的芯片适用于高性能服务器和低功耗要求的产品，如笔记本计算机、PDA和Smart Phone。

ASM正在等待该氧化镧（LaOx）及氧化铝（AlOx）覆盖层的专利。这新的制程应对了32纳米及其以下的构型的挑战。如果没有这些覆盖层，则需要两种不同的金属来制造晶体管P和N的电学特性。在以铪（Hafnium）为基础的闸极介电层与金属闸极之间引入超薄的覆盖薄膜，原子层的电荷将会影响介电层和金属之间的相互作用。在小于1纳米的范围内，通过改变覆盖层的厚度，金属薄膜的性能可以被调整。ASM Pulsar提供ALD技术，多个ASM Pulsar process module可以整合成单一的Pulsar平台，以沉积铪基薄膜和覆盖层。整个制程不接触大气，因此薄膜间的界面可以得到良好的控制。

ASM晶体管产品经理Glen Wilk说「解决high k与金属栅的挑战，对我们大部分的客户来说是最优先的考虑，这个新的制程极大地简化了high k与金属闸极的结合，并使我们能够支持前闸极与后闸极的制程流程。ASM目前提供针对high K电介质、覆盖层及金属闸极的原子层沈积（ALD）制程，世界范围内已有超过50台应用于不同high k沈积的Pulsar正在制造中。」