Spansion公司今日宣布推出兩套全新快閃記憶體系列元件，採用的是110奈米浮置閘極技術，並正式進入量產階段。此系列新產品將大幅提昇現有無線設計方案之價格效能比，預計將能滿足AMD(NYSE:AMD)與Fujitsu(TSE:6702)其廣大客戶之需求。

新款高效能S29WS-J 與S29NS-J 快閃記憶體是屬於全功能1.8伏特解決方案，協助業者能夠從現今130奈米浮置閘極技術的主流設計，迅速躍昇進入嶄新世代。而為了支援多元化的客戶產品，新系列方案不僅提供128與64 megabit的密度、高頻率快衝模式介面、以及同步讀寫模式，更提供單晶粒與多晶粒的封裝(MCP)組態。

Spansion事業群副總裁暨無線事業部總經理Amir Mashkoori表示：「為滿足新興與現有市場需求，我們的顧客正面臨極大的壓力，以整合手機的多功能及效能；而立即改善記憶體的價格效能比將會是重要的成功關鍵。為因應客戶迫切需求，我們成功驗證110奈米浮置閘極技術，並在6個月內便推出三套性質截然不同、陣容完整的無線產品優化方案系列。也因此，Spansion一系列全功能、130奈米以下製程的產品，可說全面涵蓋了各種無線應用客戶廠商的需求，讓其它製造廠商望其項背。」

截至目前為止，Spansion 是唯一提供全系列突破130奈米製程門檻1.8伏特與3伏特無線NOR快閃記憶體的製造商；在Spansion Fab 25德州奧斯汀晶圓廠的出廠產品中，有超過50%是採用Spansion? 110奈米浮置閘極技術，它的優點在於縮小現今130奈米浮置閘極記憶體的元件尺吋，並進而提升元件的產能及改善成本結構，此外這項技術亦支援Spansion先前發表的3伏特分頁模式S29PL-J系列元件。