随着生成式AI技术的快速发展，全球记忆体市场需求急剧上升，这波趋势不仅刺激了全球供应链的加速转型，也为中国记忆体产业带来崭新的发展契机。长鑫存储（CXMT）等中国企业，正凭藉技术突破与市场拓展，努力缩短与全球领先企业的差距，为整个产业的竞争格局注入新的变数。

根据Counterpoint Research的报告显示，长鑫存储在2024年占全球DRAM产能的13%，并将在2025年进一步提升至接近美光（Micron）的规模。虽然目前每片晶圆的产量相较竞争对手低42%，但随着技术进步，该差距有??缩小至32%。这一发展标志着中国记忆体企业逐渐在全球市场站稳脚跟。

同时，长鑫存储积极推动技术升级，计划在2025年量产等同於国际竞争对手「1z」制程的「Gen 4」技术，并开始大规模生产DDR5记忆体。然而，DDR5记忆体的良率仍低於50%，其能否如期实现市场化尚需观察。此外，长鑫存储也在开发高介电常数金属闸极（HKMG）与3D DRAM技术，这些创新技术将成为其未来在全球市场提升竞争力的关键。

美国对中国记忆体产业的设备出囗限制为该领域带来挑战，但同时也促进了中国在设备与材料上的本地化进程。长鑫存储已购置2025年扩产所需的设备，即便面临出囗限制，其现有产能扩充计划不会受到影响。不过，从2026年开始的扩产计划，将需要依赖国产设备与技术，这对中国的本地供应链提出更高要求。

中国政府也对记忆体产业提供强力支持，2025年预计将补贴范围从移动记忆体市场扩展至PC与伺服器DRAM市场。然而，若美国对中国制造产品实施更高关税，可能会削弱这些补贴的实际效益。

生成式AI和电动车的发展，正为记忆体产业创造巨大的需求增长。例如，NVIDIA推出的个人超级电脑 Project Digits，采用了128GB的LPDDR5X记忆体，这表明高阶记忆体在生成式AI应用中的重要性。与此同时，中国记忆体制造商在中低阶市场上更具成本优势，有??在电动车、物联网等领域发挥更大作用。