针对驱动行动通讯、设计及制造高效能无线电系统及解决方案的厂商RF Micro Devices，Inc.宣布计划扩展其化合物半导体之制造产能，以支持该公司蜂巢式及多重市场产品事业群的成长预期。

由于该公司所锁定的主要市场居于有利市场趋势，RFMD预期其化合物半导体制程技术将呈现成长性的需求。在蜂巢式手机市场中，高度整合、多芯片传输模块及对于3G多模组件导入之所提高的接受度，预计将驱动对RFMD GaAs pHEMT及GaAs HBT之需求(包含AlGaAs HBT及InGaP HBT)。这些有利的市场趋势，将要求更大量的复合半导体内容，并预计从2007-2012年，蜂巢式前端市场的五年复合年成长率将高于20%。

另外，以由RFMD多重市场产品事业群所服务的市场而言，预期转移至802.11n(GaAs HBT及GaAs pHEMT)及对WiMAX(GaAs HBT及GaN的)日趋成长的采用性，将是增加化合物半导体内容及加速市场成长之主要动能。相较于现有技术，如硅LDMOS，RFMD的GaN制程技术已被认为是要求高功率、线性度及带宽之应用的制程技术 。RFMD是GaAs HBT及GaAs pHEMT的全球最大制造商， 而该公司的GaN制程技术并将迅速发展商业生产。Strategy Analytics的GaAs及化合物半导体技术(GaAs)服务总监Asif Anwar表示：「RFMD持续满足蜂巢式手机市场的需求，而这将继续驱动RFMD的量能。RFMD同样也发展了连贯性的多重市场策略，以透过GaN及GaAs pHEMT技术锁定更高价值的市场区隔，并透过对于Sirenza的并购提议，延伸其IP及产品组合。此双重”高容量-高价值”策略，将使该公司持续居于化合物半导体产业的前端。」

RFMD总裁暨执行Bob Bruggeworth长表示：「由RFMD所服务的市场正日渐成长，而RFMD正于这些市场中，提升其化合物半导体内容。我们的第三个晶圆厂将带来更高的成长率，同时降低制造成本，并驱动营运获益率之持续扬升。新厂完全之后， 我们的三厂加二厂， 将锁定高量能的蜂巢式及运用GaAs HBT及GaAs pHEMT的WLAN前端产品，新厂同样也将为生产晶圆等级封装之SAW滤波器提供产能，并开发全新、下世代制程技术，以提供高整合度的前端功能性。而一厂则将锁定于运用专业GaN、GaAs pHEMT及GaAs HBT技术的高价值多重市场产品。」