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RFMD針對化合物半導體的成長需求宣布擴產
 

【CTIMES/SmartAuto 陳盈佑 報導】   2007年10月04日 星期四

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針對驅動行動通訊、設計及製造高效能無線電系統及解決方案的廠商RF Micro Devices,Inc.宣佈計劃擴展其化合物半導體之製造產能,以支援該公司蜂巢式及多重市場產品事業群的成長預期。

由於該公司所鎖定的主要市場居於有利市場趨勢,RFMD預期其化合物半導體製程技術將呈現成長性的需求。在蜂巢式手機市場中,高度整合、多晶片傳輸模組及對於3G多模元件導入之所提高的接受度,預計將驅動對RFMD GaAs pHEMT及GaAs HBT之需求(包含AlGaAs HBT及InGaP HBT)。這些有利的市場趨勢,將要求更大量的複合半導體內容,並預計從2007-2012年,蜂巢式前端市場的五年複合年成長率將高於20%。

另外,以由RFMD多重市場產品事業群所服務的市場而言,預期轉移至802.11n(GaAs HBT及GaAs pHEMT)及對WiMAX(GaAs HBT及GaN的)日趨成長的採用性,將是增加化合物半導體內容及加速市場成長之主要動能。相較於現有技術,如矽LDMOS,RFMD的GaN製程技術已被認為是要求高功率、線性度及頻寬之應用的製程技術 。RFMD是GaAs HBT及GaAs pHEMT的全球最大製造商, 而該公司的GaN製程技術並將迅速發展商業生產。Strategy Analytics的GaAs及化合物半導體技術(GaAs)服務總監Asif Anwar表示:「RFMD持續滿足蜂巢式手機市場的需求,而這將繼續驅動RFMD的量能。RFMD同樣也發展了連貫性的多重市場策略,以透過GaN及GaAs pHEMT技術鎖定更高價值的市場區隔,並透過對於Sirenza的併購提議,延伸其IP及產品組合。此雙重”高容量-高價值”策略,將使該公司持續居於化合物半導體產業的前端。」

RFMD總裁暨執行Bob Bruggeworth長表示:「由RFMD所服務的市場正日漸成長,而RFMD正於這些市場中,提升其化合物半導體內容。我們的第三個晶圓廠將帶來更高的成長率,同時降低製造成本,並驅動營運獲益率之持續揚升。新廠完全之後, 我們的三廠加二廠, 將鎖定高量能的蜂巢式及運用GaAs HBT及GaAs pHEMT的WLAN前端產品,新廠同樣也將為生產晶圓等級封裝之SAW濾波器提供產能,並開發全新、下世代製程技術,以提供高整合度的前端功能性。而一廠則將鎖定於運用專業GaN、GaAs pHEMT及GaAs HBT技術的高價值多重市場產品。」

關鍵字: GaN  GaAs pHEMT  GaAs HBT  RFMD  Strategy Analytics  Asif Anwar  Bob Bruggeworth  電子邏輯元件 
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