盛美半导体设备公布了边缘湿法刻蚀设备，进一步拓宽了盛美湿法设备的覆盖面。该新设备使用湿法刻蚀方法来去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续制程步骤的影响，提高了晶片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了制程和产品结构。

盛美半导体设备董事长王晖表示，在IC制造制程里，特别是在3D NAND、DRAM和先进逻辑器件制程中，晶圆边缘剥离、杂质颗粒和残留物会导致晶圆边缘良率降低，现在这个问题的解决对于优化整体制程良率变得越来越重要。我们开发的边缘湿法刻蚀清洗设备可有效解决这种边缘良率降低的问题，这款新产品也把盛美在湿法制程的专业技术拓展到边缘刻蚀应用领域。与干法相比，该产品不仅具备明显的性能优势，而且可以显著减少化学品的用量。更值得一提的是，盛美独创的专利技术可做到更精准高效的晶圆对准，以实现精准边缘刻蚀，从而提高良率及产能。

盛美的边缘刻蚀产品支援多种器件和制程，包括3D NAND、DRAM和先进逻辑制程。

一直以来，制造商都是使用干法刻蚀制程来解决边缘薄膜和污染物去除的问题。湿法刻蚀区别于干法制程，它避免了产生电弧和矽损伤的风险，同时还能通过 1-7 毫米可变的晶圆边缘薄膜刻蚀/切割精度、良好的均匀性、可控的刻蚀选择性和较低的化学品消耗量，来降低总体拥有成本。