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超越5G时代的射频前端模组
矽上三五族元件的最新技术进展

【作者: Abhitosh Vais】2021年01月05日 星期二

浏览人次:【5371】

透过整合深宽比捕捉(ART)技术与奈米脊型工程(nano-ridge engineering),爱美科成功在300mm矽基板上成长出砷化镓(GaAs)或磷化铟镓(InGaP)的异质接面双极电晶体(HBT),实现5G毫米波频段的功率放大应用。


前四代的行动通讯技术在传输频率方面的变革,一向呈现逐步演进,而非革命性的。操作频率从仅不到十亿赫(GHz),跃升至好几十亿赫,而频宽也从几十千赫(kHz)扩展至几十百万赫(MHz)。


从这些传输特性来看,第五代行动通讯技术(5G)可说是脱离过往所有技术的激进变革。 5G的部分传输工作仍会使用一些GHz频率—也就是sub-6 GHz频段,但除此之外,它还使用了毫米波频段,也因此,现行的网路频段需要处理相关的频宽限制问题。
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