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ASM提出新技术解决high k与金属栅的挑战 (2008.05.22)
ASM推出一个全新的原子层沈积(ALD)制程。该制程采用氧化镧(LaOx)及氧化铝(AlOx)高介电值覆盖层,使得32纳米high k金属闸极堆栈采用单一金属,而不是之前CMOS所需要的两种不同的金属


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