盛美半導體設備（上海）股份有限公司，今日推出新型化學機械研磨後（Post-CMP）清洗設備。這是盛美上海的第一款Post-CMP清洗設備，用於製造高品質襯底化學機械研磨（CMP）制程之後的清洗。該清洗設備6英寸和8英寸的配置適用於碳化矽（SiC）襯底製造；8英寸和12英寸配置適用於矽片製造。

盛美上海為矽片和碳化矽襯底製造推出新型預清洗設備

該設備有濕進乾出（WIDO）和乾進乾出（DIDO）兩種配置，並可選配2、4或6個腔體，擁有每小時60片晶圓的最大產能（WPH）。

盛美上海董事長王暉博士表示：「全球設備供應鏈的交付時間繼續延長，這為盛美上海提供了一個絕佳時機，我們可以憑藉在半導體清洗制程技術方面的豐富經驗進入清洗市場，進一步擴大清洗產品組合。Post-CMP清洗設備為盛美上海的客戶提供了一種穩定、可靠且具有成本效益的解決方案，同時還能縮短交貨時間，大大緩解短缺的現狀。」

在CMP步驟之後，需要在低溫下使用稀釋的化學品進行物理預清洗制程，以減少顆粒數量。盛美上海的Post-CMP清洗設備能夠滿足這些要求，並提供多種配置，包括盛美上海獨創的 Smart Megasonix先進清洗技術。

第一種配置是新型WIDO線上預清洗設備，它可以直接與現有的CMP設備對接。晶圓自動轉移到兩個刷洗腔體中，使用化學和冷去離子水（CDIW）同時對晶圓正面、背面和斜面邊緣進行處理。然後將晶圓轉移至兩個或四個清洗腔體，並使用多種化學品和 CDIW 進行處理。

這一過程通過氮氣（N2）乾燥和高速旋轉完成，可實現37納米以下少於15個剩餘顆粒的處理，或28納米以下20-25個剩餘顆粒的處理，同時金屬污染可控制在1E+8（原子/平方釐米）以內。當配置4個腔體的時候，WIDO預清洗設備可提供高達每小時35片晶圓的產能。

第二種配置是新型DIDO預清洗獨立設備，它配有四個裝載埠，比WIDO預清洗設備占地面積更小，適用於CMP產線具有內置清洗腔的客戶，從而保持取出的晶圓乾燥良好。在這種配置下，晶圓通過裝載埠手動轉移到預清洗設備中，然後進行與WIDO預清洗設備中相同的處理。

DIDO預清洗設備有四腔或六腔配置，分別為兩個軟刷和兩個清洗腔體或兩個軟刷和四個清洗腔體。DIDO預清洗設備可實現與WIDO預清洗設備相同的金屬污染清洗效果。並且在使用配置六腔體設備時，產能可達到每小時60片晶圓。

第三種可用配置是WIDO離線預清洗設備，適用於晶圓廠占地面積較小的情況。使用該設備時，從CMP設備中出來後的濕晶圓需轉移到DIW中，並手動轉移至WIDO離線預清洗設備中，使用相同清洗制程，可實現相同的顆粒清洗性能，產能可達每小時60片晶圓。