半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣佈其先進的超接面（superjunction）功率MOSFET系列新增快速開關產品，用於高能效消費性電子產品、電腦和電信系統、照明控制器以及太陽能設備。

超接面（superjunction）功率系列 BigPic:628x699

新產品可提升設備電源能效，如200-500W中尺寸電視。如每年製造的2億台液晶電視均採用新的MDmesh II Plus Low Qg（低閘極電荷）功率電晶體 ，每年溫室氣體將減排14多萬噸，這個數字相當於約3萬輛轎車的廢氣排放量 。

僅有少數晶片廠商掌握超接面技術，採用此項技術的功率電晶體具有小尺寸、耐高壓和優異傳導能效等諸多優點。意法半導體在這個技術領域居全球領導地位，除MDmesh功率MOSFET外，現在又推出了性能更高的MDmesh II Plus Low Qg系列。這些先進特性可降低閘極電荷數量，提高開關以及傳導時的能效，有助於液晶電視常用的共振型電源節省能源。

改進其設計後，新產品降低了閘極電荷（Qg）以及輸入和輸出電容，這些參數有助於進一步提高開關速度和能效，推動液晶電視開發人員選用超接面電晶體設計共振電源。直到現在，超接面電晶體仍主要用於設計硬切式（hard-switching）拓撲，在電流和電壓都很高的條件下執行開關操作。在共振型電源內，兩個電感和一個電容（LLC功率轉換器）可確保電晶體的開關電壓為零，以保證系統電流曲線平滑，從而提高能效。電壓瞬間變化可燒毀電晶體，引起假性開關，MDmesh II PlusTM Low Qg新系列擁有高抗瞬變能力，可承受輸入電壓突然劇變（dv/dt），讓新產品能夠在AC電力線上雜訊和諧波等瞬變事件惡劣的環境中穩定工作。

首款投入量產的MDmesh II PlusTM Low Qg產品為採用TO-220封裝的STP24N60M2。意法半導體將擴展此系列至50餘款不同封裝的產品，如TO-220FP、 I2PAK、I2PAK FP、D2PAK、TO-247 和PowerFLAT 8x8。

STP24N60M2主要特性：

1. 通態電阻（RDS(ON)）：190mΩ

2. 崩潰電壓：600V

3. 最大連續漏電流（ID）：18A

4. 抗dv/dt能力：50V/ns

5. 100%通過崩潰測試（avalanche test）