帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR創新功率區塊元件為DC-DC同步降壓應用
提供行業領先功率密度

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2013年08月06日 星期二

瀏覽人次:【2118】

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出創新功率區塊元件系列首兩款產品 IRFH4251D及IRFH4253D,適用於先進的電訊與網路通訊設備、伺服器、顯示卡、桌上型電腦、超輕薄筆電 (Ultrabook) 和筆記型電腦等DC-DC同步降壓應用。

DC-DC同步降壓應用 BigPic:600x480
DC-DC同步降壓應用 BigPic:600x480

新款25V IRFH4251D及IRFH4253D配備IR新一代矽技術,並採用了嶄新的5x6 mm PQFN封裝,提供功率密度新基準。全新功率區塊元件具有整合式單片FETKY,而且破天荒採用包含了頂尖的覆接裸片技術的封裝,有效把同步MOSFET源直接連接到印刷電路板的地線層散熱。任何一枚5x6 mm封裝新型元件可憑藉強化的散熱效能和功率密度,取代兩個5x6 mm封裝的標準獨立元件。此外,全新封裝備有已在PowIRStage與SupIRBuck產品內廣泛使用的IR專利單銅彈片,以及經過優化的佈線,有助於大幅減少雜散電感,以降低峰值鳴震。這樣設計師就可選用25V MOSFET,代替效率較低的30V元件。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「IRFH4251D及IRFH4253D功率區塊元件具備頂級的矽技術和多項嶄新功能,加上採用了突破性封裝,為高效能DC-DC開關應用提供行業領先的功率密度。這些元件使用效率更勝一籌的佈線,必可樹立DC-DC雙MOSFET的新行業標準。」

IRFH4251D及IRFH4253D旨在優化5V閘極驅動應用,可與各種控制器或驅動器共同操作,從而帶來設計靈活性,並且比採用了兩個分立式30V功率MOSFET的同類型解決方案,更能以較小的佔位面積實現高電流、效率和頻率。

關鍵字: DC-DC同步降壓應用  IR 
相關產品
IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝
IR推出電池保護應用MOSFET系列
IR推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻
IR為高功率工業應用推出新IGBT模組系列
IR推出75V MOSFET具有極低導通電阻
  相關新聞
» 日立成立4 億美元創投 聚焦量子、AI科技
» Meta攜手UNESCO擴展AI語言模型 支援弱勢語言
» 意法半導體攜手 HighTec EDV-Systeme 強化軟體定義車輛安全性
» 竹市「運動i臺灣2.0計畫」特優三連霸 實踐健康安心願景
» 元智鏈結遠東集團拓展國際 以企業書院培育產業需求人才
  相關文章
» 次世代汽車的車用微控制器
» 將lwIP TCP/IP堆疊整合至嵌入式應用的介面
» 以數位共融計畫縮短數位落差
» 智慧無線連結:驅動現代生活與未來創新
» CTIMES編輯群解析2025趨勢

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2025 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.172.71.254.223
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: [email protected]