雲端電源是指傳輸、儲存及處理雲端數據設備的電源。在電信或傳輸應用中，雲端電源將為基帶單元及遠程無線電單元供電。在用於儲存及處理的伺服器機群中，大型不間斷電源（UPS）可以確保用戶在暫時斷電時仍能連接雲端。每台伺服器還將需要一個電源單元（PSU），及眾多DC-DC轉換器來提供負載點電源。

安森美半導體提供全面的雲端電源方案

網路上可使用的數據及服務正呈現爆發式成長，造成對雲端基礎設施的需求激增。雲端基礎設施主要包括數據中心及通訊基礎設施，是實現各種全天網路應用與服務的基礎。電源轉換能效大幅影響雲端服務供應商的運營支出。希望持續降低能源成本的需求不斷提高，產業標準及政府監管也日趨嚴格，擴大容量及網路覆蓋範圍的需求推動需要更高密度的方案，雲端電源設計面臨高能效及高功率密度的挑戰。

安森美半導體致力於推動高能效創新，提供全功率範圍、高能效、高功率密度的雲端電源方案，包括AC-DC轉換、多相轉換、負載點電源、熱插拔保護、時脈等矽方案及下一代半導體碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN），支援基地台、企業伺服器、數據中心或雲端運算等雲端基礎設施。

在大型數據中心中，提高CPU及記憶體多相穩壓器的能效能節省大量能源開支。例如，將能效從95%提升至95.5%，每年可節省數以百萬計美元的能源支出。安森美半導體的智能功率級元件（SPS）系列，在一個QFN封裝中整合高邊FET、低邊FET 和驅動器 IC、保護及遙測功能，用以將伺服器系統最佳化，實現最佳能效、降低總物料單（BOM）成本，尤其第三代智能功率級元件SPS3為伺服器多相穩壓器提供同類最佳的電源轉換能效。

針對較高電壓應用，包括電信基地台、伺服器與雲端應用中未來的48 V匯流排，安森美半導體提供業界首款100 V橋式功率級FDMF8811，實現全橋與半橋隔離型DC - DC轉換器的更高功率密度及高能效及高可靠性，用於功率模組中的DC-DC轉換器與無線基地台的載板設計。

FDMF8811在一個6.0 mm x 7.5 mm 的PQFN 封裝中整合一個120 V門極驅動器、一個自舉二極體和兩個功率MOSFET，導通電阻典型值低至4.1 mΩ。與分立方案相比，FDMF8811減少DC-DC 轉換器設計所需的板面積約三分之一，使工程師能夠設計更小的系統。透過整合所有的關鍵功率元件，FDMF8811將設計最佳化，保持盡可能高的能效，使雲端應用如無線基地台、功率模組或任意載板、隔離型DC-DC轉換器實現更高水準的功率密度。同時，低電壓應力確保更高的可靠性。值得一提的是，FDMF8811曾獲《今日電子》與《21IC中國電子網》聯合頒發2017年度「Top 10電源產品獎」，這是電子業備受認可的確定創新產品基準之一。

高電流的POL設計存在一系列的挑戰，除了高能效和高功率密度，還需要具有可編程性和靈活性、快速的瞬態回應、嚴格的容限及精確度、可靠的保護及卓越的熱管理。安森美半導體提供全系列負載點電源方案，解決這些挑戰。

如最新的多晶片模組PWM降壓穩壓器系列FAN6500xx，提供領先市場的電流密度和非凡的整合度，峰值能效達98.5%，輸出電流高達10 A，輸出功率達100 W，支援4.5 V至65 V的寬輸入電壓範圍，適用於電信基礎設施及基帶板、工業自動化、DC-DC模組、通用POL等廣泛應用。

多晶片方案的一個巨大優勢是能在門極驅動器及MOSFET之間進行設計最佳化，模組化方案意味著電源設計中只有單一故障點。

FAN6500xx整合了PowerTrenchR MOSFET技術，比使用一個外部MOSFET的方案具有更低的振鈴及更好的電磁干擾（EMI），結合經歷時間測試的固定頻率控制方法與靈活的Type III補償與穩固的故障保護，如可調過流保護、熱關斷、過壓保護及短路保護，提供更高的可靠性。FAN6500xx具有可編程及可同步的開關頻率（100 kHz-1 MHz）特性，能解決更高的功率要求，當並行使用多個FAN6500xx元件時，可以保證低的輸入紋波。

FAN6500xx有3個版本：6A （FAN65004B）/8A （FAN65005A）/8A （FAN65008B），所有元件之間的引腳相容性與擴展性確保了OEM能夠為其應用選擇最理想的元件。

下一代無線連結5G將需要大量的功率MOSFET。安森美半導體提供高性能的分立方案，其新的650 V SuperFETIII MOSFET系列能比上一代超級結元件提供更高的能效。SuperFETIII技術提供易驅動 （Easy Drive）、快恢復 （FRFET）和快速 （FAST）三種不同的版本，設計人員可依應用需求及拓撲結構選擇最適合的版本，實現最佳能效。

針對次級端，安森美半導體提供全系列最佳化的中、低壓MOSFET用於雲端電源。T6技術為30V、40V及60V提供業界最低的導通電阻。新的T8技術為25V、40V、60V及80V提供與T6相同的超低導通電阻，同時進一步改善開關參數。對於80 V、100 V與120 V，採用PTNG技術，提供出色的導通電阻和二極體性能。

寬禁帶材料如SiC、GaN與矽相比有巨大的優勢，是下一代功率元件的基礎，能解決更高能效及更高功率密度的挑戰，同時確保高的可靠性。安森美半導體提供一系列具有不同功率密度的寬禁帶產品，以配合不同的功率應用。

SiC二極體因為低的反向恢復電荷（Qrr）明顯提高系統的能效，大幅降低開關損耗，進而實現更高的開關速度。它們還具有穩定的高溫特性，能在高溫下工作而不增加開關損耗。SiC二極體主要用於電源功率因數校正（PFC）級。安森美半導體擁有完整的650 V和1200 V SiC二極體產品陣容，涵蓋所有功率範圍。

同時，安森美半導體正積極開發1200 V SiC MOSFET、GaN MOSFET，以更好地配合市場發展及設計需求。

安全性在電源應用中至關重要。安森美半導體提供高性能及高可靠性的電子保險絲，用於12 V、5 V及3.3 V電源，以防止高浪湧電流、電壓尖峰及熱耗散，公司5年共付運超過2億片電子保險絲，退貨率低於0.3 PPM。

時鐘是電子系統中的關鍵元素，其性能對整個系統的穩定運作至關重要。安森美半導體提供全面的時鐘產生元件（包括各種時鐘模組和可編程時鐘）與時鐘分配元件（PLL 零延遲緩衝器、扇出驅動器等）。一次性可編程時鐘產生器Omniclock平台提供高度的設計靈活性及豐富功能，可以很好地配合安森美半導體的時鐘方案運作，增強系統可靠性，滿足系統低功耗要求。針對特定需求，安森美半導體也設計專用積體電路（ASIC）。

數據傳輸的速度在不斷加快，在更高的數據速度下，我們不能忽視訊號衰減問題。安森美半導體提供單通道及雙通道轉接驅動器產品系列，透過OE引腳深度省電，提高出色的隨機抖動性能，實現延長訊號距離達36 英寸FR4 或5m 電纜5Gbps、10英寸FR4 10Gbps。

雲端電源設計面臨高能效、高功率密度、高可靠性的挑戰。安森美半導體致力於推動高能效創新，憑藉強大的技術、應用專知及悠久豐富的產業經驗，為雲端基礎設施（包括企業伺服器及無線基礎設施）提供全功率範圍的、高能效、高功率密度、可靠的端到端供電電源及數據完整性方案，並處於開發下一代寬禁帶產品的前沿，解決設計挑戰，滿足市場需求。