意法半導體先進的V系列600V溝槽式場截止（trench-gate field-stop）型IGBT擁有平順、無曳尾（tail-less）電流的關機特性，飽和電壓（saturation voltage）更是低達1.8V，最大工作結溫高達175°C，這些優勢將有助於開發人員提高系統能效和開關頻率，並簡化散熱設計和電磁干擾設計。

意法半導體的「無曳尾電流」600V IGBT突破功率設計限制

透過消除IGBT固有的關機曳尾電流特性，意法半導體的新元件提高了開關能效與最大開關頻率。新產品的裸片非常薄，有助於提高開關和散熱性能。意法半導體獨有且經最佳化的溝槽式（trench-gate）場截止型（field-stop）製程降低了熱阻，最高結溫高達175°C，同時實現了對飽和電壓等參數的嚴格控制，允許多個IGBT安全平行，進而提高電流密度和通態能效。

全新的IGBT非常穩固，擁有很高的Dv/dt耐壓性能。與IGBT封裝在一起的超高速軟恢復（soft-recovery）二極體可最大幅度地降低導通能耗。針對更成本更敏感的應用，意法半導體還推出了可無二極體（Diode-free）的型號選項。

意法半導體的20A至80A V系列IGBT現已投入量產，採用TO-3P、TO-3PF、TO-220、TO-220FP、TO-247或D2PAK封裝。