力旺电子（eMemory）与韩商美格纳（MagnaChip）昨日（3/10）宣布，由力旺电子开发之Neobit嵌入式非挥发性内存技术，已建构于美格纳0.11um 高压先进制程平台，并将于2010年Q1进入量产。

具备NVM之高压制程，主要应用于液晶显示器驱动芯片与电源管理芯片产品，例如中小尺寸TFT-LCD面板、各类型行动装置，以及LED照明应用等，皆能受惠于嵌入式非挥发性内存技术而大幅提高生产弹性，缩短产品上市时程。目前力旺电子与美格纳合作之技术平台涵括0.35um, 0.18um, 0.15um, 0.13um之逻辑、模拟与高压制程，力旺电子并表示该项产品已获得台湾、欧美、韩国与中国地区等地客户的广泛采用。

美格纳制造服务工程资深副总TJ Lee表示，为客户创造最创新与成本低廉的制造解决方案是美格纳努力的目标，结合美格纳卓越的制造专业与力旺优异的Neobit 嵌入式非挥发性内存技术，将能提供客户于产品应用上之最佳解决方案。