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英特尔率先推出0.13微米制程闪存
计划年底前在美国生产0.13微米产品

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2001年10月24日 星期三

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英特尔23日发表业界首套采用0.13微米制程生产的闪存,该款产品软0.18微米生产的闪存体积缩小近50%,适用于小尺寸及低耗电的移动电话、视频转换器等,英特尔表示可望领先其他供货商两个商品世代。

英特尔日前启用全球第二座使用0.13微米的晶圆厂,并计划年底前在美国四座晶圆厂生产0.13微米产品。

英特尔3伏特Advanced+Boot Block闪存将有32Mb与64Mb两种版本。已开始供应32Mb位芯片样本,预计明年第二季开始生产。64Mb位芯片将于2002年底生产。

關鍵字: 闪存  英特尔  多次刻录只读存储器 
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