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ROHM推出5款全新超低导通电阻100V耐压Dual MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 陳玨报导】   2023年08月22日 星期二

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近年来,在通讯基地台和工控设备的应用领域,为了降低电流值并提高效率,以往的12V和24V系统逐渐转换为48V系统,电源电压呈提高趋势。半导体制造商ROHM针对通讯基地台和工控设备等风扇马达驱动应用,推出将二颗100V耐压MOSFET一体化封装的Dual MOSFET新产品。新产品分为HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch)系列和HP8MEx(Nch+Pch)系列共5款新机型。

ROHM全新100V耐压Dual MOSFET以小尺寸实现超低导通电阻,适用於通讯基地台和工控设备等风扇马达,有助降低应用设备功耗和节省空间
ROHM全新100V耐压Dual MOSFET以小尺寸实现超低导通电阻,适用於通讯基地台和工控设备等风扇马达,有助降低应用设备功耗和节省空间

此外,用来冷却上述设备的风扇马达也是使用48V系统电源,考虑到电压波动,负责开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。另一方面,提高耐压意味着与其难以兼顾的导通电阻也会提高,导致效率变差,因此,如何同时兼顾更高的耐压和更低的导通电阻,成了一大挑 战。另外,风扇马达通常会使用多个MOSFET进行驱动,为了节省空间,对於将二颗晶片一体化封装的Dual MOSFET的市场需求正不断增加。

在此背景下,ROHM以全新制程推出Nch和Pch的MOSFET晶片,透过采用散热性能出色的背面散热封装形式,开发出具业界超低导通电阻的新系列产品。

新产品透过ROHM全新制程和背面散热封装,实现业界超低导通电阻( Ron)( Nch+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ)。与市场上的Dual MOSFET相比,导通电阻降低达56%,有助降低应用设备功耗。另外透过将二颗晶片一体化封装,可减少安装面积,有助应用设备节省空间。例如HSOP8封装产品,若替换掉二颗Single MOSFET(仅内建一颗晶片的TO-252封装),将可减少77%的安装面积。

ROHM透过结合新产品与已具有丰富应用实绩的单相和三相无刷马达用预驱动器IC,使马达电路板进一步小型化、实现低功耗和静音驱动。透过为周边电路设计提供Dual MOSFET系列和预驱动器IC相结合的综合支援, 为客户满足需求,适合应用於通讯基地台用风扇马达、FA设备等工控设备用风扇马达、资料中心等伺服器用风扇马达。

目前,ROHM正针对工控设备应用领域扩大Dual MOSFET的耐压阵容,同时也在开发低杂讯产品。新产品已於2023年7月开始暂以每月100万个规模投入量产,并且已开始透过电商平台销售。

關鍵字: 超低导通电阻  ROHM 
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