英飞凌科技以TwinFlash技术为基础，7日推出一款与NAND兼容的芯片。这种512Mbit闪存芯片已经由英飞凌科技闪存公司〈Infineon Technologies Flash GmbH & Co. KG〉开发出来；该公司是英飞凌科技与半导体业者Saifun Semicondutors的合资企业。初期的生产已经在英飞凌的德勒斯登200mm DRAM厂展开。

英飞凌记忆产品事业集团的执行长Dr. Harald Eggers博士解释说：「英飞凌纳入了闪存，更加大为扩充了内存产品系列，因此现在能够在DRAM 与闪存之间有弹性的分配内存产品的产能。这种TwinFlash技术使我们能够用制造DRAM的现成设备来生产闪存芯片，所以基本上无须另行投资制造设备就能进入一个新市场。」

TwinFlash是Saifun Semiconductors所开发的一种非挥发性内存技术，而且其功效过去在做为NOR闪存与电子式可抹除只读记忆的基础上已经获得证实。TwinFlash在单一晶体管器件中储存两个〈一对〉在该处分散的位。TwinFlashTM的竞争对手是每一晶体管器件单一位的浮置闸极技术，其处理结构相当于TwinFlash，但是TwinFlash所提供的核心尺寸小了40%，这是由于每一组件双位的设计与生产成本竞争力所导致的较少光罩层所致。到2004年年底，每个月以170nm技术生产逾10,000个晶圆已经在计划之中。