Diodes公司全面扩展功率MOSFET产品阵营，加入多款能够在不同的消费、通讯、计算机和工业应用中发挥完善负载及切换效能的新型组件。它们涵盖Diodes与Zetex产品系列，包括二十七款30V逻辑层级及九款20V低临限电压的N型、P型和互补式MOSFET，并且采用不同的业界标准封装。

Diodes新型功率MOSFETs产品

新型功率MOSFET提供SOT323、SOT23、SOT26和SO8封装格式，各款的针脚和占板面积均与原有组件兼容，其性能与价格，有助于减少物料列表，而且无需额外成本也可改善整体性能。新组件可以在DC/DC转换以及一般功率管理方面大派用场，为LCD电视、笔记本电脑等多样化产品设计带来效益。

Diodes的30V逻辑层级功率MOSFET覆盖广泛的导通电阻范围，于10V VGS下在SOT23 P信道设计中可提供190m奥姆 ，在SO8 N信道MOSFET中则提供9m奥姆。这些组件在逻辑层操作中的导通电阻为4.5V VGS，P信道和N信道组件的启动闸临限电压分别为-1V和+1V。新增20V低临限MOSFET的导通电阻设定于2.5V VGS及1.8V VGS，由SOT23封装的240m奥姆到SO8封装的9m奥姆。P信道和N信道组件的启动闸临限电压分别为-0.6V和+0.6V。