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ROHM新推出导通电阻仅34mΩ
 

【CTIMES/SmartAuto 蔡維駿报导】   2012年03月08日 星期四

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罗姆电子(ROHM株式会社)于日前宣布全新推出创新低导通电阻之高耐压型功率MOSFET,「R5050DNZ0C9」(500V/50A/typ,34mΩ max45mΩ),适合太阳能发电系统的功率调节器使用。

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随着节能议题愈来愈受到关注,其中,太阳能发电可谓是最具代表性的可回收能源,因此使得该市场在近年来不断地成长扩张。因此,像是藉由改善功率转换效率以达到节能效果,或是能降低损耗等,此类发电系统所使用的功率调节器对于功率MOSFET之要求也随之愈来愈高。ROHM运用传统的多层磊晶生长(epitaxial growth)方式,以垂直型pn接合多个并排的超接合(Super Junction)结构功率MOSFET,达到高效率目标。

本次ROHM采用了可一次让垂直型p型埋层成长的硅深掘蚀刻技术,并藉由细微化与不纯物浓度之优化的技术,导通电阻成功降低47%(与传统产品相比),最适合容易受到低导通电阻影响的转换器使用,另外搭配ROHM的快速回复二极管或碳化硅萧特基二极管,亦可使用于变频器等产品。本产品可大幅降低功率转换时所造成的损耗,如此便能有效提高太阳能的发电效率,除此之外,为了满足各种不同的电路需求,ROHM还计划利用此一技术来研发具备更高耐压特性的产品系列「PrestoMOS」。

關鍵字: 导通电阻  太陽能  羅姆電子 
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