美高森美公司(Microsemi) 日前推出新一代1200V非贯穿型IGBT系列中的第一款产品。新的IGBT系列采用美高森美顶尖的Power MOS 8技术，与竞争解决方案相比，整体开关和导通损耗显著降低20%或以。这些IGBT组件主要针对焊接机、太阳能逆变器和不断电与开关电源等应用。

这些IGBT组件主要针对焊接机、太阳能逆变器和不断电与开关电源等应用

美高森美新的离散组件产品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。这些组件可以独立形式提供，或者与任何一款美高森美的FRED或碳化硅萧特基(Schottky) 二极管组合封装提供，以便简化产品开发和制造。其它特性包括：

闸极电荷(Qg) 比竞争产品显著减少，提供更快的开关性能；

硬件开关运作频率高于80 KHz，达到更高效率的功率转换；

易于并联 (Vcesat之正温度系数)，可提升高功率应用的可靠性；以及

额定短路耐受时间(Short Circuit Withstand Time，SCWT)，为需要短路能力的应用提供可靠运作

APT40GR120B晶体管采用TO-247封装，APT40GR120S采用表面安装D3 PAK封装，APT40GR120B2D30则是T-MAX封装组件，包含了一个采用美高森美的专有「DQ」系列低开关损耗、额定雪崩能量二极管技术制造的30A反向平行、超快速恢复二极管。