瑞萨电子宣布，将专为网络设备，包括新一代Ethernet标准（100GbE）以上之交换器及路由器，推出1.1 Gb内存装置。新款的网络内存装置，在单一芯片中结合了低耗电量、超大容量及高速传输等特色。

瑞萨电子已开发出能够达到更高容量及速度，同时能利用独特处理及电路技术节省耗电量的新内存装置。

新的网络内存装置是采用瑞萨电子的40-nm eDRAM技术制造，并加上了为开发高速内存装置而设计出的电路技术。相较于瑞萨电子现有的低延迟DRAM产品，新网络内存装置的内存容量提升了四倍（1.1Gb），随机循环效能亦提升了30%，高速数据读写可达13.3毫微秒（ns），且最大运作频率亦提高一倍至800MHz。尽管产品已经过上述改良，却仍能维持在2瓦（W）的低耗电量。

为了能在稳定的情况下，操作36位数据输入／输出(I/O)的800-MHz DDR（双倍数据速率）接口，瑞萨电子也降低了供应1.0V电源的I/O电路电压，并采用高压侧终端（在显示适配器内存装置的效能方面颇受肯定），以便能稳定地运作。新网络内存装置提供的多样化功能，可自整合输入讯号针脚之芯片终端装置的可程设讯号终端电阻（on-die termination）开始，确保运作的可靠度。

其他功能尚包括可减少数据输出噪声的数据转换功能、终端产品制造商可用于调整个别讯号针脚讯号输入／输出时间偏差的「per-bit deskew」（每位校准）功能，以及可在印刷电路板上使用折迭式安装时，轻易控制布线长度的镜像功能。

由于运作频率提高，瑞萨电子将同一结构组件电源供应器的pin脚数量，增加至38pin脚，与现有产品使用的11x18.5 mm规格封装相同结构，但组件尺寸仍维持在14x18.5mm。系统设计人员可采用新产品布建可靠的系统，无需担心印刷电路板设计时间的电子特性问题。