Digi-Key與Cree宣佈，Digi-Key已開始進貨Cree針對通用微波應用的氮化鎵 (GaN)HEMT電晶體。使Digi-Key的Cree產品線包含SiC電源零組件、SiC MESFET、高亮度及高功率 LED，以及現在的GaNHEMT電晶體。

Cree的GaN HEMT general-purpose transistors之功率位準範圍為10W至90W，

適用要求高效率、多階頻寬效能之多微波應用。這些電晶體於小型封裝接

腳佔位內提供達6GHz 的高頻效能、高增益、及低寄生電容，而能造就小型、更輕及更具能源效率的系統，相較於其他微波電晶體技術，其通常具備更少的放大器零組件。