模拟讯号处理及功率管理方案供货商Zetex Semiconductors，推出新一代沟道MOSFET，提供Class D输出级所需要的高效率、散热效果和良好的声频复制功能。

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这些N和P信道组件的额定电压为70V，设有SOT223和DPAK封装，能够在平面电视、5.1环绕音效系统等功率更高的声频应用中，实现安全可靠的操作。各款组件皆适用于采用互补性或全N信道MOSFET配置的单端及桥接式负载输出级。

最新ZXM N/P 7系列MOSFET具有更高的漏源电压，相比于60V的零件，它们能为设计人员提供额外的空间，可以适应电源和闸振铃的大幅变化。组件的通态电阻很低，在10V电压下，N、P信道组件的通态电阻一般分别只有130mΩ和160mΩ，因此可以经常保持低损耗，体现高效率操作和理想的散热效果。

新MOSFET把低通态电阻(RDS(on))的优点，结合于快速交换和低闸电荷的特性，实现输出级效率的优化，在设计完备的电路中可达到90%以上的效率。这些N信道和P信道组件，在10V操作环境中的关断时间和闸漏极电荷，分别为17ns/1.8nC和35ns/3.6nC。

此外，这些新型MOSFET能妥善处理高漏极电流，在单独的场效应管操作中体现最大功率。由于它们对闸驱动的要求较低，因此可以在需要更高负载功率的应用中，平行设置场效应管。N信道组件采用SOT223和DPAK封装时的最大漏极电流，分别为3.8和6.1安培，P信道的分别为3.7和5.7安培。