模拟讯号处理及功率管理方案供货商Zetex Semiconductors(捷特科)公司，推出其首项采用无铅式2 x 2毫米DFN封装的MOSFET产品。这款ZXMN2F34MA组件的PCB面积比业内采用标准SOT23封装的组件小50%，离板高度只有0.85毫米，适用于各类型空间有限的开关和功率管理应用，例如降压/升压负载点转换器中的外部开关装置。因为对于这些应用来说，PCB的占位面积、热效能和低临限电压都相当重要。

新MOSFET是Zetex一行六款新型低电压 (20V及30V) N信道单独及双重式组件的其中一款，系列中设有多种不同的表面黏着封装可供选择。额定电压为20V的ZXMN2F34MA虽然尺寸小巧，但其热性能却远胜体积更大的SOT23封装。该组件采用的DFN322无铅式封装，热阻比同类零件低出40%，有助提升散热效益、改善功率密度。在4.5V及2.5V的典型闸源电压下，该组件的通态电阻分别为60mΩ 和120mΩ。

此外，新组件的逆向修复电荷较低，有助减低开关损耗及缓解电磁干扰 (EMI)问题，最适用于笔记簿型计算机、移动电话及通用便携式电子设备中的低电压应用，确保在线功率损耗维持在低水平，从而延长充电间距。

Zetex一行六款的新型组件除了包括采用DFN322封装的ZXMN2F34MA外，还有三款采用SOT23封装的N信道MOSFET，包括ZXMN2F34FHTA、ZXMN2F30FHTA和 ZXMN3F30FHTA；另有两款采用SO8封装的双重式N信道组件，包括ZXMN3F31DN8和ZXMN3G32DN8。