账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR为家电马达驱动器扩充IGBT阵营
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2012年10月24日 星期三

浏览人次:【2678】

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF,藉以扩充绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 阵营。全新600V沟槽型超高速IGBT能够为洗衣机和冰箱等家电与轻工业马达驱动应用提升效能及效率。

推出600V 沟槽型超高速IRGR4045DPBF及IRGS4045DPBF
推出600V 沟槽型超高速IRGR4045DPBF及IRGS4045DPBF

IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF利用IR有助于大幅减低开关与导通损耗的薄晶圆场截止沟槽型技术,在更高频率下提升功率密度与效率。全新IGBT与二极管共同采用DPAK 或D2Pak封装,并且配备6A标称电流及? 5μs的最低短路额定值。

全新组件亦具备能够减低功率耗散与提升功率密度的低Vce(on),以及易于并联的正Vce(on) 温度系数。IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF经过优化后适用于广阔的开关频率范围,最高达20kHz。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:「IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF两款组件扩充了IR强大的IGBT阵营,并且为高效能家电与轻工业应用带来高效可靠的解决方案。」

IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF可以芯片或封装组件形式供应,其他主要功能包括经过优化的方形反向偏置安全工作区 (RBSOA)、最高达175°C的结温,以及能够促进可靠性的低电磁干扰 (EMI) 。

關鍵字: IR 
相关产品
IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装
IR推出电池保护应用MOSFET系列
IR推出表面黏着型75V MOSFET搭载极低导通电阻
IR为高功率工业应用推出新IGBT模块系列
IR推出75V MOSFET具有极低导通电阻
  相关新闻
» SEMI:2025年全球晶圆厂设备投资破千亿 晶背供电、2nm技术可??量产
» VLSI TSA研讨会4月将登场 聚焦高效能运算、矽光子、量子计算
» 半导体先进封装需求成长驱动 大型玻璃基板专用检测设备问世
» 半导产业AI化浪潮兴起 上中下游企业差距扩大
» 日本SEMICON JAPAN登场 台日专家跨国分享半导体与AI应用
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2025 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK9495P3OCGSTACUKQ
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw