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IR创新功率区块组件为DC-DC同步降压应用
提供行业领先功率密度

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2013年08月06日 星期二

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全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出创新功率区块组件系列首两款产品 IRFH4251D及IRFH4253D,适用于先进的电讯与网络通讯设备、服务器、显示适配器、桌面计算机、超轻薄笔电 (Ultrabook) 和笔记本电脑等DC-DC同步降压应用。

DC-DC同步降压应用 BigPic:600x480
DC-DC同步降压应用 BigPic:600x480

新款25V IRFH4251D及IRFH4253D配备IR新一代硅技术,并采用了崭新的5x6 mm PQFN封装,提供功率密度新基准。全新功率区块组件具有整合式单片FETKY,而且破天荒采用包含了顶尖的覆接裸片技术的封装,有效把同步MOSFET源直接连接到印刷电路板的地线层散热。任何一枚5x6 mm封装新型组件可凭借强化的散热效能和功率密度,取代两个5x6 mm封装的标准独立组件。此外,全新封装备有已在PowIRStage与SupIRBuck产品内广泛使用的IR专利单铜弹片,以及经过优化的布线,有助于大幅减少杂散电感,以降低峰值鸣震。这样设计师就可选用25V MOSFET,代替效率较低的30V组件。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:「IRFH4251D及IRFH4253D功率区块组件具备顶级的硅技术和多项崭新功能,加上采用了突破性封装,为高效能DC-DC开关应用提供行业领先的功率密度。这些组件使用效率更胜一筹的布线,必可树立DC-DC双MOSFET的新行业标准。」

IRFH4251D及IRFH4253D旨在优化5V闸极驱动应用,可与各种控制器或驱动器共同操作,从而带来设计灵活性,并且比采用了两个分立式30V功率MOSFET的同类型解决方案,更能以较小的占位面积实现高电流、效率和频率。

關鍵字: DC-DC同步降压应用  IR 
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