半导体制造商ST，发表了密度从1Mb~4Mb的新一代串行闪存芯片，特别适用于要求高可靠度的汽车市场。

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全新的M25P10-A、M25P20与M25P40内存容量分别为1Mb、2Mb与4Mb，是强韧到足以应用在汽车环境中的串行式闪存。新组件采用ST经过量产验证的技术制造，为汽车应用提供了可靠的解决方案。新组件已达到‘汽车级’（Automotive Grade）认证，相当于AEC-Q100标准。

此外，新组件也已通过了ST的高可靠性认证流程（High Reliability Certified Flow，HRCF）测试程序，保证可操作在-40℃~125℃的汽车温度范围内，满足汽车应用对质量及可靠度的要求。这项测试流程结合了统计箱限制（Statistical Bin Limit，SBL）与零件平均测试（Part Average Testing，PAT）等统计工具，能在晶圆与裸晶上发现早期错误并将之去除，以满足汽车应用对零ppm的目标，达到完全可靠性的要求。

新组件能在宽广的操作温度范围内维持高达25MHz的高速传输，适用于高效能引擎管理、传输控制模块与安全应用，同时还可用于车内系统如仪表板、多媒体显示器与音频系统。由于新组件采用超小型封装与4线总线，因此能为选择串行内存组件的应用节省空间及成本，同时，由于微控制器或ASIC上仅需少数的I/O接脚，因此也能进一步降低成本。

M25P10-A、M25P20与M25P40整合了标准4线SPI总线与一个速度达25MHz的强化型数据传输频率。这些组件操作在2.7V~3.6V供给电压，深度睡眠模式时仅消耗1μA功率，大幅减小了整体功耗。数据保存期限至少20年，在整个汽车温度范围内可承受超过10,000次的区块写入。采用页面编程指令，这些内存每次可被编程为1~256字节，并可使用大量擦除（Bulk Erase）或区块擦除（Sector Erase）来进行擦除。