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ST推出汽車市場設計的快閃記憶體晶片
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2006年06月28日 星期三

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半導體製造商ST,發表了密度從1Mb~4Mb的新一代串列快閃記憶體晶片,特別適用於要求高可靠度的汽車市場。

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全新的M25P10-A、M25P20與M25P40記憶體容量分別為1Mb、2Mb與4Mb,是強韌到足以應用在汽車環境中的串列式快閃記憶體。新元件採用ST經過量產驗證的技術製造,為汽車應用提供了可靠的解決方案。新元件已達到‘汽車級’(Automotive Grade)認證,相當於AEC-Q100標準。

此外,新元件也已通過了ST的高可靠性認證流程(High Reliability Certified Flow,HRCF)測試程序,保證可操作在-40℃~125℃的汽車溫度範圍內,滿足汽車應用對品質及可靠度的要求。這項測試流程結合了統計箱限制(Statistical Bin Limit,SBL)與零件平均測試(Part Average Testing,PAT)等統計工具,能在晶圓與裸晶上發現早期錯誤並將之去除,以滿足汽車應用對零ppm的目標,達到完全可靠性的要求。

新元件能在寬廣的操作溫度範圍內維持高達25MHz的高速傳輸,適用於高效能引擎管理、傳輸控制模組與安全應用,同時還可用於車內系統如儀表板、多媒體顯示器與音訊系統。由於新元件採用超小型封裝與4線匯流排,因此能為選擇串列記憶體元件的應用節省空間及成本,同時,由於微控制器或ASIC上僅需少數的I/O接腳,因此也能進一步降低成本。

M25P10-A、M25P20與M25P40整合了標準4線SPI匯流排與一個速度達25MHz的強化型數據傳輸時脈。這些元件操作在2.7V~3.6V供給電壓,深度睡眠模式時僅消耗1μA功率,大幅減小了整體功耗。資料保存期限至少20年,在整個汽車溫度範圍內可承受超過10,000次的區塊寫入。採用頁面編程指令,這些記憶體每次可被編程為1~256位元組,並可使用大量擦除(Bulk Erase)或區塊擦除(Sector Erase)來進行擦除。

關鍵字: 義法半導體(ST::半導體多次燒錄唯讀記憶體 
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