美光科技 (Micron) 于日前宣布，推出新型高容量闪存产品组合，将可延长未来 NAND 内存的产品寿命。该新款 ClearNAND 装置将错误管理技术整合在同一个 NAND 封装内，解决了 NAND 传统上面临制程微缩的问题。美光的 ClearNAND 产品组合使得先进的 NAND 技术，得以有效应用于企业服务器、平板计算机、可携式媒体播放器等多种电子消费品中。

美光推出创新闪存装置 延长内存寿命

美光 ClearNAND 产品采用传统的 NAND 晶粒接口，另外专为高容量和高效能的应用新增功能。随着产业逐渐超越了 20nm 的规格，闪存管理也日趋困难，由于位错误 (bit error) 情况大幅增加，影响 NAND 闪存的运作效能和可靠性。美光将错误管理技术与 NAND 装置紧密结合于同一封装中，持续提供客户最大容量和最低单位位成本的闪存解决方案。美光提供标准型 (Standard) 和加强型 (Enhanced) 两种版本的 ClearNAND 产品，均率先采用 25nm MLC 制程。

美光标准型 ClearNAND 产品提供从 8 到 32 GB 等封装，相较于 NAND 晶粒，其特色在于可透过最少程度的协议调整 (protocol changes) 来解决主处理器上错误修正码 (ECC) 产生的负担。标准型 ClearNAND 产品组合是专门为可携式媒体播放器等消费性电子装置所设计。

加强型 ClearNAND 产品除了前述从主处理器上移除错误修正码负担的功能外，更提供专为企业设计的新型功能，以利大容量的设计，使产品效能和可靠性都更上一层楼。该产品提供 16 到 64 GB 容量的封装。美光表示，加强型 ClearNAND 产品专为企业和运算等应用设计，也是业界首次将领先的 25 nm MLC NAND 技术应用在这些领域。美光标准型和加强型 ClearNAND 产品现已上市。