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快捷半导体 20V 单一 P 信道 PowerTrench® MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 蔡維駿报导】   2012年08月10日 星期五

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为了帮助手机及其他可携式应用设计人员改善电池充电和负载开关, 快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩大其 P 信道 PowerTrench® MOSFET 产品线。

快捷半导体公司扩大其 P 信道 PowerTrench® MOSFET 产品线。
快捷半导体公司扩大其 P 信道 PowerTrench® MOSFET 产品线。

FDMA910PZ 和 FDME910PZT 具备 MicroFET™ MOSFET 封装,并提供以他们的尺寸大小(2 X 2 mm 和 1.6 X 1.6 mm)而言,卓越的散热性能,令他们完全匹配开关和线性模式应用。 在 20V 额定电压下,这些组件提供低导通阻抗。 为预防静电放电 (ESD) 失败,FDMA910PZ 和 FDME910PZT 装有优化稳压二极管保护装置,这亦令最大额定 IGSS 泄漏电流从 10μA 降至 1μA。

快捷半导体是是可携式技术的领先厂商,提供丰富的客制化模拟和电源IP产品系列,以满足特定的设计需求。 利用将先进的电路技术整合在微型封装中,快捷半导体为可携式产品用户提供了重要的优势,同时能够减小设计的尺寸、成本和功耗。 快捷半导体的可携式 IP 已获现今大部分手机采用。

關鍵字: 快捷(FAIRCHILD) 
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