大联大控股宣布，其旗下友尚推出基於意法半导体（ST）MasterGaN1+L6599A晶片的250W LLC谐振直流变换器开发板方案。

大联大友尚基於ST产品的250W LLC谐振直流变换器开发板方案的场景应用图

随着半导体和电力电子技术的持续演进，使得人们对於电源产品在尺寸，效率，可靠性，寿命及舒适性方面的要求越来越高。在这种背景下，传统的电源技术已经很难满足应用需求，於是采用LLC谐振变换技术来实现高电源开关效率的方式被广泛应用。

针对这一市场趋势，大联大友尚基於ST MasterGaN1和L6599A晶片推出250W LLC谐振直流变换器开发板方案。该方案具有高集成度，有助於客户提高功率密度与能效，简化产品设计，缩短上市时间。

本方案由MasterGaN1驱动，MasterGaN1是一款集成STDRIVE半桥栅极驱动器和两个650V增强型GaN电晶体的产品，其最大功率可达400W，最大额定电流为10A，且低侧和高侧均具有欠压关闭保护，以防止电源开关在低效或危险条件下工作。

不仅如此，MasterGaN1还内置自举二极体与内置互锁功能，可有效避免交叉传导条件。并且由於GaN电晶体出色的开关性能，使其工作频率高於普通矽基MOSFET解决方案，因此可以使用较小的电磁元件和电容，实现更高的功率密度和更低的物料清单成本。

方案中的L6599A是一种针对串联谐振半桥拓扑的双端控制器。它提供50%的互补占空比，在同一时间内，高压侧开关和低压侧开关以180。异相的方式接通/断开。该器件的输出电压调节是通过调节工作频率来实现的。

为了使用自举方法驱动高压侧开关，L6599A采用了一种能够承受600V以上电压的高压浮动结构，并配备了一个同步驱动的高压DMO。在功能方面，L6599A集成了一个非锁存的低启动禁用输入以及一个用於OCP的电流检测输入，这个组合能够提供完整的超载和短路保护功能。

除此之外，方案中应用的SRK2001同步整流IC实现了LLC谐振变换器中二次侧同步整流的特定控制，确保每个同步整流器在相应的半绕组开始导通时接通，在其电流降至零时断开。并且具有自适应掩蔽时间和自适应关断逻辑的开启逻辑允许最大化SR MOSFET的导通时间，消除了对寄生电感补偿电路的需要。

通过结合器件的主要性能，本方案的最高能效超过94％，且凭藉着高效率和小尺寸的特点，非常适用於体积、空间有限的应用。经测试，本开发板在24Vdc时，输出功率可达250W，传统前端PFC提供的标称输入电压为400V。