盛美半導體設備（上海）股份有限公司宣佈其為Ultra C pr設備拓展了金屬剝離（MLO）應用，以支援功率半導體製造和晶圓級封裝（WLP）應用。MLO制程是一種形成晶圓表面圖案的方法，省去了蝕刻制程步驟，可降低成本，縮短制程流程，並減少高溫化學品用量。公司還宣佈，首款支援MLO的設備已經通過驗證，並被中國一家功率半導體製造商投入量產。

盛美上海董事長王暉博士表示，我們致力於加強公司多元化產品的構建，並繼續抓住機會拓展除清洗以外的應用領域。我們的Ultra C pr設備光刻膠剝離制程已獲客戶廣泛認可，基於此制程，現又進一步拓展了在MLO制程中的應用，能夠使光刻膠外金屬層更易剝除，並去除其他多餘的金屬或殘留物。很高興首套應用于MLO制程的Ultra C pr設備能成功交付，並在客戶端生產線上驗證成功。

盛美上海的Ultra C pr設備將槽式去膠浸泡模組與單片清洗腔體串聯起來依序使用，在去膠的同時進行金屬剝離制程。該設備將不同單片清洗腔分別配置去膠功能和清洗功能，並優化了腔體的結構，使之易於拆卸、清洗、維護，解決了金屬剝離制程中殘留物累積的問題。該制程也可選配盛美自研的SAPS兆聲波清洗技術，以進一步提高晶圓清潔效果。