帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
台灣研究團隊開發雙模二維電子元件 突破矽晶圓物理限制
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2024年01月15日 星期一

瀏覽人次:【1686】

在國科會「A世代前瞻半導體專案計畫」支持下,清華大學電子所蔡孟宇博士、研發長邱博文教授、中興大學物理系林彥甫教授和資工系吳俊霖教授等共同組成的研究團隊,成功開發出新穎的雙模式二維電子元件,不僅突破了傳統矽晶圓的物理限制,還為高效能計算和半導體製程簡化開啟了新的方向。這項研究成果已在2023年9月發表於《自然電子》(Nature Electronics)學術期刊。

/news/2024/01/15/1626039360S.jpg

這項電子元件的最大關鍵突破在於實現「記憶體」和「電晶體」兩種模式之間功能自由切換的可行性,像是同一個裝置可以在需要時變成存儲裝置或是處理數據的工具。「光」在這裡扮演了一個關鍵角色,就像是啟動元件功能的「鑰匙」。

當光照射到這種元件時,它就像被「解鎖」一般,元件隨即切換到「記憶體模式」,在這種模式下,它能夠動態地調整電荷的屬性和集中度,即可存儲數據。而在沒有光照射的情況下,元件則保持在「電晶體模式」,就像是被「上鎖」一般,能夠維持穩定的開關運算功能。

這種突破性架構的提出,首次使電子元件賦予多重模態靈活切換的可行性成真,因為可以快速切換應用,在處理複雜的計算和儲存功能更有效率。

這種創新元件的結構非常獨特,建立在傳統二氧化矽基板之上,並堆疊二維凡德瓦異質結構所組成,主要核心材料包含二維雙極性半導體(二硒化錸)以及二維絕緣體(六方氮化硼)。這使得光能夠誘導二硒化錸生成大量的電子-電洞對,並使其中一方的載子(電子或電洞)注入到六方氮化硼與二氧化矽基板之間的介面,從而實現電荷極性操控與存儲的功能。

除此之外,這雙模式都能展現各自獨特的操作特性。具體來說,在「電晶體模式」下,它能夠根據需要調整成不同類型的電晶體配置(N型或P型),從而實現從基本到複雜的各類邏輯閘單元,這對於簡化現有電子元件的設計及能耗,建構更高效的電路和系統,以及處理複雜的計算任務非常重要。在「記憶體模式」下,則模擬人腦的神經突觸功能。

特別是在結合卷積神經網絡的應用時,它能夠有效地參與圖像識別過程,大幅提升了處理複雜視覺任務的能力。這不僅顯示了其在神經形態計算領域的潛力,也為人工智能技術帶來了新的發展方向。

關鍵字: 記憶體  國科會 
相關新聞
第26屆台法科技獎揭曉 表彰在分子生物學科研成果
技專校院大秀跨域研發能量 促台灣百工百業蓬勃發展
國科會核准92億元投資案,聚焦綠能、生技和半導體產業
科研新創力轉化硬實力 協助開創農漁科技新局
國科會新增10項核心關鍵技術 強化太空、量子、半導體領域保護
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» ChipLink工具指南:PCIe® 交換機除錯的好幫手
» 創新光科技提升汽車外飾燈照明度
» 以模擬工具提高氫生產燃料電池使用率
» 掌握石墨回收與替代 化解電池斷鏈危機
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.172.71.191.51
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: [email protected]