聯華電子今宣布，該公司推出40奈米結合Silicon Storage Technology（SST）嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體的製程平台。新推出的40nm奈米SST嵌入式快閃記憶，較量產的55奈米單元尺寸減少20％以上，並使整體記憶體面積縮小了20-30％。東芝電子元件&存儲產品公司已開始評估其微處理器（MCU）晶片於聯電40奈米SST技術平台的適用性。

東芝電子元件&存儲產品公司混合信號晶片部門副總松井俊也表示：「我們期待採用聯電40奈米SST技術有助於提升我們MCU產品的性能。與聯電合作，透過穩定的製造供應及配合我們的生產需求提供靈活的產能，亦將使我們能夠保持強勁的業務連續性計劃 （BCP）。」

已有超過20個客戶和產品正以聯電55奈米SST嵌入式快閃記憶體製程進行各階段的生產，包含了SIM卡，金融交易，汽車，物聯網，MCU及其他應用產品。

聯華電子特殊技術組織協理丁文琪表示：「自2015年提供55奈米SST嵌入式快閃記憶體成為主流技術以來，我們一直受到客戶的高度關注，藉此製程平台所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數據保留和高耐久性的特性，可用於汽車、工業、消費者和物聯網的應用。我們很高興將這些產品進入大批量產，並正努力將這嵌入式快閃記憶體解決方案擴展到40奈米的技術平台，期待將SST的高速度和高可靠性優勢帶給東芝和其他晶圓專工客戶。」

聯電的分離式閘極記憶體單元SST製程，依據JEDEC所制定的規範標準，具100K耐久性和在85℃及工作溫度範圍為-40℃至125℃溫度下，數據可保存10 年以上。