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16nm/14nm FinFET:開闢電子技術新疆界
【CTIMES/SmartAuto 編輯部 報導】 2013年03月27日 星期三
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FinFET技術是電子業界的新一代先進技術,是一種新型的多重閘極3D電晶體,提供更顯著的功耗和效能優勢,遠勝過傳統平面型電晶體。Intel已經在22nm上使用了稱為「三閘極(tri-gate)」的FinFET技術,同時許多晶圓廠也正在準備16奈米或14奈米的FinFET製程。雖然這項技術具有巨大的優勢,但也帶來了一些新的設計挑戰,需要整個半導體設計生態系統的廣泛研發和深層協作,才能夠成功。
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