日本半導體大廠日立與三菱合資之瑞薩半導體（Renesas）日前宣布將應用於數位相機和行動電話的1Gb快閃記憶體晶片，委託台灣力晶半導體代工，以提高產量；瑞薩表示，力晶將於2004年4～9月開始量產高容量的AND型快閃記憶體。

據路透社報導，儘管全球規模有22.5億美元的快閃記憶體市場，可說是日本東芝與韓國三星電子兩家大廠的天下，但瑞薩希有信心以其AND技術來拓展市佔率。AND是類似NAND型的快閃記憶體技術；瑞薩表示，該公司的1Gb AND型快閃記憶體能夠儲存逾100個高解析度靜止圖片，資料抹除與寫入的速度亦勝於NAND型快閃記憶體。

瑞薩發言人表示，該公司將於9月開始在旗下Trecenti Technologies所使用的工廠生產1Gb的快閃記憶體晶片；目前公司每月生產180萬顆1Gb快閃記憶體晶片，而在2004年4月開始的會計年度期間，瑞薩打算提高月產量至500萬顆。

目前東芝每月可生產215萬顆1Gb快閃記憶體晶片，而該公司預計於2004年3月推出2Gb的NAND快閃記憶體晶片，瑞薩則緊追在後計畫在2004～2005年間開始量產4Gb的產品，並在預計於2006～2007年底前量產8Gb產品。