在全球功率半導體市場，SiC（碳化矽）元件的發展，一直是主要業者所十分在意的重點，理由在於它與傳統的MOSFET或是IGBT元件相較，SiC可以同時兼顧高開關頻率或高操作電壓，反觀MOSFET與IGBT只能各自顧及開關頻率與操作電壓，顯然地SiC元件相對地較有技術優勢。

羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮

SiC顧名思義，就是矽與碳採1比1結合而成的化合物半導體，對於熱、化學與機械現象，都能有相當不錯的表現，舉例來說，它幾乎不跟酸鹼產生任何化學反應，在摩氏硬度上也幾乎可以跟鑽石抗衡。所以歸納來看，SiC元件它具備低導通電阻、耐壓能力達600V以上、低開關損耗，以及工作溫度可達150℃以上。根據Yole的調查顯示，到了2020年，SiC市場將會成長至362百萬美元的規模。

日系功率半導體大廠羅姆半導體（ROHM）在SiC也有相當程度的進展，在2010年的四月ROHM便已量產了以SiC為主的二極體元件，同年十二月也量產了功率開關元件，到了2014年，在二極體與開關元件，各自推出了第二代的產品。而在近期，ROHM也發表了第三代產品，值得注意的是，第三代產品的設計採取了溝槽式結構設計，相較於過往平面式SiC，其導通電阻可降低50%。

羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮談到，第三代SiC元件的最大特色就是晶片上的閘極改採溝槽式結構，這種結構相較傳統的平面結構，有助於整體Cell的密度提升，導通電阻亦能更進一步降低，或是在相同的導通電阻下，進一步縮小元件尺寸。另一方面，過去平面結構SiC一直以來都有Gate Trench底部電場集中的問題，此一現象會造成元件可靠度不高的問題，但新的溝槽式結構有助於緩和這種情況，並進一步提升可靠度。除此之外，羅姆半導體的第三代產品，也將開關元件與SBD兩者加以整合為全SiC模組，額定電壓達1200V、額定電流亦可達到180A，與過去的產品線相較，其開關損耗亦可以降低42%。

羅姆半導體功率元件製造部部長伊野和英談到，該產品的推出，相信對於市場會造成一些話題性，他也預言溝槽式結構將會是SiC未來的發展趨勢，當然另外一種材料氮化鎵的發展，也會密切注意，至於未來會鎖定的應用，應為特殊或是高頻電源，以及汽車市場等。