中微半導體設備有限公司在本周舉辦的SEMICON China期間正式發佈了第一代電感耦合等離子體蝕刻設備Primo nanova，用於大批量生產儲存晶片和邏輯晶片的前道工序。該設備採用了中微專利的電感耦合等離子體蝕刻技術，將為7奈米、5奈米及更先進的半導體元件蝕刻應用提更好的製程加工能力，和更低的生產成本。

Primo nanova的創新的設計包括：完全對稱的反應腔，超高的分子泵抽速；獨特的低電容耦合線圈設計和多區細分溫控靜電吸盤（ESC）。

中微表示，其Primo nanova蝕刻機已獲得多家客戶訂單，設備產品已陸續出貨，且首台Primo nanova設備已在客戶生產線上正常運行，良率穩定。目前公司正在與更多客戶合作，進行蝕刻評估。

中微副總裁兼等離子體蝕刻產品部總經理倪圖強博士說道，「該設備不僅能夠用於多種導體蝕刻製程，比如淺溝槽隔離蝕刻（STI）、多晶矽柵極蝕刻；同時可用於介質蝕刻，如間隙壁蝕刻（Spacer Etch）、掩模蝕刻（Mask Etch）、回蝕刻（Etch Back）等， 具有業界領先的生產率和卓越的晶圓內加工性能。這項基於電感耦合等離子體的蝕刻技術既可以用於蝕刻垂直深孔，也可以用於蝕刻淺錐形輪廓。」