美光科技今日宣佈，成為首家開始使用 1z nm 製程技術量產 16Gb DDR4 產品的記憶體公司。

與上一代 1y nm 節點相比，美光的 1z nm 16Gb DDR4 產品顯著提高位元密度、大幅增進效能並降低成本。同時，它也促進美光持續改善其運算 DRAM（DDR4）、行動 DRAM（LPDDR4）和圖形 DRAM（GDDR6）產品系列的相對效能和功耗。對於包括人工智慧、自動駕駛車輛、5G、行動裝置、圖形、遊戲、網路基礎設施和伺服器等應用而言，功率和效能之間的優化平衡是關鍵的差異化因素。

美光科技技術開發執行副總裁 Scott DeBoer 表示：「現今擴充 DRAM 條件變得更加複雜，開發和量產業界最小尺寸的DRAM 節點展現了美光世界級的工程和製造能力。率先進入市場讓美光擁有競爭優勢，我們將繼續為廣泛的終端客戶應用提供高價值解決方案。」

美光透過量產 16Gb DDR4 記憶體解決方案，開始將技術移轉至 1z nm。使用更小的節點進行生產帶來多項優勢，包括功耗較上一代 8Gb DDR4產品降低約 40%。美光全面的 1z nm DDR4 產品組合也滿足資料中心對更高效能、更高容量和更低功耗，日益增長的需求。

此外，美光今日也宣佈公司已開始批量出貨基於 UFS 規範多晶片封裝 （uMCP4） 的業界最高容量單片 16Gb 低功率雙倍資料速率 4X （LPDDR4X） DRAM。美光的 1z nm LPDDR4X 和 uMCP4 滿足了行動裝置製造商尋求更低功率和更小封裝，以設計具有吸引人的規格尺寸和長電池壽命的裝置需求。