外电消息报导，三星电子日前宣布，将开始量产两款30奈米制程的NAND闪存芯片。其中一款将采类似DDR内存的双信道传输技术，其读取带宽将是传统闪存芯片的3倍左右，最高可达133Mbps。

据报导，这款新的双信道芯片若应用到快闪记忆卡中，将能保持60Mbps的读取速率，较传统快闪记忆卡的17Mbps快三倍左右。预料将可广泛运用在智能型手机，或者可携式多媒体播放器等产品上，至于固态硬盘也同样有运用的空间。

另外一款新记忆芯片，则是采用3位储存技术的闪存芯片产品，可比一般2位芯片多50%的容量。不过这款产品目前主要是供行动应用，而不强调高速读写的性能。

三星表示，新的3位内存芯片初期将应用在8GB microSDHC闪存卡中，随后再逐步应用至更大容量的产品。至于另一款高速传输的内存芯片，三星则没有透露其应用对象，仅表示目前只有部分OEM厂商使用这款芯片。