|
|
|
|
| 诺发系统发表全新氮化钨制程 |
|
【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1
报导】
2010年05月19日 星期三
|
|
浏览人次：【4441】
诺发系统（Novellus）日前宣布开发出一种创新的DirectFill化学气相沉积氮化钨（WN）线性阻隔膜，取代传统的物理气相沉积（PVD）金属钛及有机化学气相沉积法（MOCVD）氮化钛堆积成线性阻隔薄膜用于先进内存组件的钨接触传导和铜线互连传导应用。氮化钨（WN）薄膜沉积使用诺发系统的ALTUS多平台序列沉积（MSSD）架构及脉冲成核（PNL）专利技术。该 DirectFill制程沉积超薄，20埃氮化钨（WN）比传统的物理气相沉积厚200埃氮化钛和钛堆栈，拥有更薄更好的膜电阻率和阻隔性能。这种超薄膜降低了钨电阻高达百分之三十，并扩展钨技术超越3Xnm的技术节点。
...
...
| 另一名雇主 |
限られたニュース |
文章閱讀限制 |
出版品優惠 |
| 一般使用者 |
10/ごとに 30 日間 |
0/ごとに 30 日間 |
付费下载 |
| VIP会员 |
无限制 |
25/ごとに 30 日間 |
付费下载 |
|
| 關鍵字：
諾發
存储元件
|
|
|
|
相關时事单元
相關产业类别
相關组织
相關产品类别
相關网站单元