应用材料公司正式推出DPS II Centura 300硅晶蚀刻及金属蚀刻两套全新系统，是针对300mm制程的蚀刻工具，可支持0.10微米或是更精密的组件制造，特别是更精准的微距(Critical Dimension)控制能力，以及在整颗芯片上达成更为均匀的蚀刻结果，这些在半导体制程上都是相当关键的技术，此外，可让厂商用以制造3 GHz的微处理器、4 Gbits的DRAM组件或其它更为精密的芯片。

新一代的300mm蚀刻解决方案提供了多项重要优点，这主要是透过一个特别设计的制程平台，可协助半导体厂商迅速迈入数个GHz微处理器及数个Gbits内存组件的新时代。DPS II制程设备其特别处乃在于采用了如可调整式电浆源(Tunable Source)等特别技术，可支持种类广泛的半导体组件制程，此可调整式电浆源与加强的反应室设计，和能提供更精准的温度控制能力的双区域静电吸附极（dual-zone electrostatic chuck），能确保整片芯片都拥有极佳的导线微距均匀度（CD Uniformity）与微尘粒表现（particle performance），可让芯片的微距控制能力达到更高的精密程度。

除了制程工作效能外， DPS II Centura 300设备采用了一个实用的制程平台，还把多项功能整合在一起，能提供相当高的整体设备使用效率。

针对0.10微米或是更精密的各种硅晶蚀刻应用，DSP II Centura 300硅晶蚀刻制程设备提供了更为均匀的联机弧度（profile）与导线微距，包括了组件内的重要区域，且对芯片工作速度有重要影响的浅沟隔离层（STI）与门极蚀刻；而对于整颗晶圆上的闸极线宽，这套制程设备也提供了准确且可重复的微距均匀特性，让设备能在最快的生产速率下，拥有最高的晶粒良率。

DPS II Centura 300金属蚀刻制程设备则可支持种类广泛的金属蚀刻应用，包括所有的铝金属层和图案化的钨金属层，亦提供了更为均匀的导线微距、精密的蚀刻速率控制能力、提高芯片良率、及更高的晶圆产出率，因此能满足先进金属蚀刻应用所要求的高生产力。