随着台湾晶圆代工大厂持续向外扩充版图，并将制程推进至2nm以下，正加速驱动晶片制造厂商进入埃米时代，也越来越受惠於新材料工程和量测技术。美商应用材料公司则透过开发出越来越多采用Sculpta图案成形应用技术，与创新的CVD图案化薄膜、蚀刻系统和量测解决方案。

为了帮助克服先进晶片的图案化挑战，应材提供了一系列能够补强最新微影技术的产品与解决方案。

如应材於2023年国际光电工程学会（SPIE）举行的先进微影暨图案化技术研讨会上，便推出一系列满足「埃米时代」晶片图案化需求的产品和解决方案，进而克服 EUV和高数值孔径（High-NA）EUV 图案化的挑战，包括：线边缘粗糙度、顶端对顶端的间隙（tip-to-tip spacing）限制、桥接缺陷和边缘置放误差。

其中Centura Sculpta图案化系统，可让晶片制造商能透过延伸拉长图案特徵，来减少EUV双重图案化步骤，使得特徵端点彼此之间，能比使用单一EUV或高数值孔径EUV曝光更为接近，而能有效补强和改善使用微影技术制造晶片。目前应材正与所有市场上顶尖的逻辑晶片制造商合作，开发越来越多的Sculpta应用，得以减少顶端对顶端的间隙限制、消除桥接缺陷，进而降低图案化成本、复杂度，并提高晶片良率。

同时推出Sym3 Y Magnum蚀刻系统，可在同一反应室中结合沉积和新蚀刻技术，沿着粗糙边缘沉积材料，使EUV线路图案在被蚀刻到晶圆前变得更平顺，从而提高良率并降低线路电阻，进而改善晶片效能和功耗，目前正部署用於埃米时代节点中的EUV图案化。

此外，应材领先业界的电子束量测系统，能经过严格定义将数十亿个特徵放置在每一层，使之与晶片中下一层的相反特徵正确对齐。避免微幅的置放误差，恐会降低晶片效能和功耗表现；唯若出现大幅度误差，更将造成影响良率的缺陷。

应材现已收购Aselta Nanographics公司，透过轮廓来搜集更庞大的数据量，了解其配方在图案化薄膜和晶圆上制造出的形状，并将这些资料回??至光学微影和制程流程进行设计型量测，以制造更精确的晶片特徵和避免置放位置误差。

值得一提的是，早自2012 年以来，应材便优先将图案化作为研发重点，投资推出新产品和解决方案，已将其服务的图案化市场从2013年约15亿美元，增至2023年超过80亿美元，同时将机会市占率从约10%增加到超过30%。