英特尔(中国)公司总经理李敏达表示，上海封装测试厂投资第二期投资金额将由去年发表的2亿美元，增加到3亿美元，总投资额增为5亿美元；而为期二至三年的第二期扩厂计划将自今年十月开始试产，并首度引进芯片组产品封测。

李敏达表示，位于上海外高桥保税区的英特尔上海封装测试公司，投资资金虽区分为1亿美元、九千八百万美元以及3亿美元三阶段，但实际上前两次、合计为1.98亿美元，全为第一期建厂计划所用，并在完成第一座封装测试工厂后告一段落；第二期计划投资金额则由去年发表的两亿美元提升到3亿美元，加建一座封装测试工厂以及一座仓库，估计土木结构八月初竣工、并导入机器设备，十月便可进入量产。

他说，这将使上海封装测试工厂规模达到15万平方公尺，而为因应未来持续扩厂需求，已下订金保留后方14.7万平方公尺土地的租用权。

李敏达进一步表示，上海封装测试厂原以闪存为主要产品，采用技术包括Micro-BGA与VFBGA等，二厂开始将以覆晶(Flip Chip)封装技术产出高阶芯片组；虽然李敏达不愿表示为何种芯片组，据猜测应以采用覆晶技术、支持Pentium4的芯片组机会最高。