联电、台积电双雄加速晶圆高阶制程研发，联电宣布率先导入无络膜相位移光罩（Cr-less PSM）技术，成功量产90奈米制程，同时采购193nm光学扫描机，台积电也向设备大厂ASML采购193奈米浸润式微影设备，发展65奈米制程。

经济日报引述联电资深副总暨中央研发部部长孙世伟说法表示，Cr-less PSM微影技术是一种分辨率增强技术，联电结合Cr-less PSM微影技术及193奈米光学扫描机，使得Cr-less PSM光罩微影技术跨越了实验阶段，验证成为可量产的技术。

孙世伟进一步指出，联电证明既有的193奈米光学扫描机，将可继续被沿用在90奈米与以下制程。而新的Cr-less PSM微影技术利用石英取代铬膜来定义图案轮廓，增进了微影的分辨率和微距控制，可改良微影线宽均匀度及线缘粗糙度的控制，将客户的电路设计更正确地被复制在晶圆上。

台积电在65奈米制程则是舍弃157奈米干式曝光机，选定193奈米湿式制程，已正式向ASML下单。根据该公司内部的评估，已经成熟的193奈米曝光机，改采湿式制程以后，将可以顺利地到32奈米制程，台积电目前已经与设备厂商共同开发技术，预计2005年可以进入商业量产阶段。