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英飞凌将量产0.11微米256Mb DRAM
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年04月30日 星期三
浏览人次：【2162】
继韩国三星日前宣布以0.11微米量产DRAM后，德商DRAM厂英飞凌也宣布以0.11微米沟槽式（Trench）制程试产256Mb DRAM，并且获得英特尔验证，目前已进入量产阶段，未来该制程将授权华邦、华亚、中芯等策略伙伴。
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關鍵字： 0.11微米沟槽式  256Mb DRAM  三星  英飛凌  华邦  华亚  中芯  动态随机存取内存 
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