根据外电报导，全球DRAM大厂南韩三星电子（Samsung）近来增加投资动作不断，尤其对于12吋晶圆厂之扩产十分积极；继2002年底计划斥资12亿美元添购该公司12吋厂之生产设备，日前又宣布将再投入4.3亿美元以提升该厂内存产能。

SBN网站引述消息人士所透露之南韩财务监督委员会报告指出，三星是于董事会中通过最新投资案，将加码投资5050亿韩元（约合4.3亿美元）于汉城南方京畿道华城的Fab 12，以提升该12吋晶圆厂在DRAM及闪存方面的产能。

据市调机构IC Insights最新报告指出，三星在2003年半导体资本支出方面高达34.4亿美元，虽次于英特尔（Intel）的37亿美元位居第二，但资本支出成长率却高达96％，反观英特尔则为负成长21％，三星意图争取全球半导体第一大厂之企图心可见一斑。

除Fab 12的加码投资，另一市调机构Strategic Marketing Associates总裁George Burns亦指出，三星接下来应会展开该公司另1座12吋晶圆厂Fab13的设备添购，以及增加另一座生产逻辑芯片之12吋新厂之投资规划。