据韩国经济新闻报导，三星电子宣布90奈米DRAM以0.10微米制程，试产2G NAND闪存量产成功，并且计划明年第三季将月产2万片12吋晶圆，专门生产NAND闪存。

NAND供货商主要三大家为三星、东芝与日立，根据iSuppli数据指出，去年Flash市场大幅衰退28.6％，平均售价下跌10％，预计今年将成长18％，可望从去年的76亿美元成长至今年的90亿美元。

业者表示，NAND Flash之消费性电子产品的成长状况，是判断市场的重要根据之一；另一方面，NOR Flash今年将有新兴的应用市场，包括2.5G、3G手机、视频转换盒、网络、电信等方面的应用等，都有可能会带动其需求。

另外，今年英特尔（Intel）开发StrataFlash内存，该产品是采用MLC（Multi-level Cell）技术，可在单一细胞内存中储存两倍或更高的容量，并且以较低的成本优势，预计抢占部分NAND flash的储存市场。